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【中国阀门网】 申请(专利)号：200410101847.5
申请日：2004.12.28 名称：一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构 公开(公告)日：2005.07.20 申请(专利权)人：北京科技大学 地址：100083北京市海淀区学院路30号 发明(设计)人：于广华;姜勇;腾蛟;王立锦;张辉;朱逢吾 摘要 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。 (来源：互联网) |
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