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申请(专利)号：02103674.8 申请日：2002.02.08 名称：利用表面活化剂对自旋阀改性的方法 公开(公告)日：2002.11.27 申请(专利权)人：北京科技大学 地址：100083北京市海淀区学院路30号 发明(设计)人：朱逢吾;于广华;赖武彦;滕蛟 摘要 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120A)/镍铁NiFe(60～100A)/铜Cu(23～30A)/Bi(2～30A)/镍铁NiFe(35～60A)/铁锰FeMn(70～150A)/钽Ta(50～90A)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中，其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高，最大可达60％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。 (来源：互联网) |
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